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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
30
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3257
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
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