Comparación de la memoria RAM Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Puntuación global

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

23 32

En 28% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

16.8 13.4

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

15.4 8.0

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 10600

En 2.01 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2269 3579

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns