RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
26
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3692
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link