RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3698
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link