RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
29
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3672
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link