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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
26
En 12% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
2646
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
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Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
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