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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
30
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.8
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3394
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
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