RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
35
En 34% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
2559
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link