RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
30
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3212
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin 991586 2GB
UMAX Technology 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link