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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.7
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3717
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
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