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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
23
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.4
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
21
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
22.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
19.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
4251
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
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