RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
29
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.8
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
20.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3901
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link