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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
30
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3824
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
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