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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
33
En 30% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.1
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.8
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
21.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
18.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3959
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
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Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
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