RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
16
23
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.3
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
21.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
16
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
22.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
21.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3952
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link