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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3171
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
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