RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3673
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link