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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
25
En 8% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3413
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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