RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
35
En 34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
2068
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9905403-439.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link