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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
35
En 34% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3415
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
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