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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
32
En 28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
9.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
2017
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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