RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
30
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
2870
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link