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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
23
En -5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
2902
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
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