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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
32
En 28% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
3621
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
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