RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
73
En 68% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
73
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
1724
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905471-079.A00LF 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link