RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
41
En 44% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
41
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
2902
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link