RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
67
En 66% menor latencia
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
67
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
1798
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
‹
›
Informar de un error
×
Bug description
Source link