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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
67
En 66% menor latencia
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
67
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
1798
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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