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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Compara
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
42
En -133% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.8
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
18
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
20.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
3402
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
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