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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Compara
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
61
En 31% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
61
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
2136
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
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