Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Puntuación global
star star star star star
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 42
    En -50% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.8 left arrow 13.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    13.4 left arrow 8.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    42 left arrow 28
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.9 left arrow 15.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.1 left arrow 13.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2150 left arrow 2640
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones