RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Compara
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
41
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.1
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2240
3859
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston 99U5471-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link