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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Puntuación global
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
41
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.1
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2240
2579
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905712-048.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
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V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
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