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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
41
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
35
Velocidad de lectura, GB/s
14.1
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2240
2773
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
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