RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Compara
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
41
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
13.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.1
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2094
3196
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link