RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Compara
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
41
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
3729
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Informar de un error
×
Bug description
Source link