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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
41
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
2636
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
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