RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Compara
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
41
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
3583
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
INTENSO M418039 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link