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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Compara
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
41
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
2545
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
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Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
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