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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Compara
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
67
En 39% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
67
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
1895
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
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