RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Compara
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
41
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
3402
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link