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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Compara
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
71
En 42% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
71
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
1799
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
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