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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Compara
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
41
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
2290
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
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