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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
41
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
2418
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
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Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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