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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
41
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
2616
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
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Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
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