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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Compara
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
55
En 25% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
55
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
2612
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
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