RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Compara
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
41
En -141% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.6
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.7
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
17
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
21.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
3702
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/4GX 2GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link