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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Compara
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
41
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
2968
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Maxsun MSD44G24Q0 4GB
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Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
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