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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Compara
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
41
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
2876
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
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