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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Compara
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
58
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
58
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
9.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
2172
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
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