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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Compara
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
41
En -78% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2176
2637
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
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